четверг, март 28
28 / 3 / 2024
РАУ углубляет партнерство с ведущими российскими вузами и академическими институтами

РАУ углубляет партнерство с ведущими российскими вузами и академическими институтами

По результатам международного научного конкурса, объявленного Комитетом по науке МОНКС РА и Российским фондом фундаментальных исследований (РФФИ) на проведение совместных фундаментальных научных и научно-исследовательских проектов, пять проектов РАУ получили финансирование, сообщает пресс-служба Российско-Армянского университета. 

Авторитетность конкурса неоспорима: проекты были выполнены в тесной коллаборации с ведущими научными и научно-образовательными центрами России, прошли жесткий отбор и серьезный этап предварительной экспертизы. Обязательным условием было наличие положительных заключений как со стороны армянских, так и российских экспертов. При этом российская часть проекта проходила экспертную оценку со стороны российских специалистов, а армянскую – оценивали армянские специалисты. 
Изначально на конкурс было представлено 211 заявок, из них 172 были допущены к участию. По итогам конкурса поддержку получили всего 38 проектов, 5 из которых были представлены Российско-Армянским университетом. По количеству заявок, получивших финансирование, РАУ уступил лишь ЕГУ (9 проектов).
Отметим, что научными партнерами РАУ в конкурсе выступили ведущие российские вузы и академические институты. 
“Исследование одночастичных и многочастичных оптических эффектов в квантовых точках Ge/Si” (руководитель темы с армянской стороны – д.ф-м.н., директор ИФИ РАУ, профессор Айк Саркисян). Организация-партнер: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого (руководитель темы с российской стороны – д.ф-м.н., профессор Дмитрий Фирсов). Целью данного проекта является теоретическое описание оптических процессов в Ge/Si квантовых точках (КТ). Будут изучены внутризонные и межзонные переходы как в одночастичном, так и многочастичном случаях. В частности, в одночастичном приближении планируется определить коэффициенты внутризонного и межзонного поглощений в Ge/Si КТ с линзообразной геометрией. Полученные результаты могут быть также имплементированы для КТ эллипсоидальной геометрии. Будет проведен всесторонний анализ частотных характеристик соответствующих коэффициентов поглощения в зависимости от геометрических параметров КТ. Будет также изучено влияние внешних электрического и магнитного полей на характер поглощения, правила отбора, величины резонансных частот поглощения, определены силы осцилляторов для вышеуказанных одночастичных переходов. В рамках модели атома Мошинского будут проанализированы условия реализации обобщенной теоремы Кона в указанных системах.

  • Поделиться: